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标题: 东大12秋学期《数字电子技术基础Ⅰ》在线作业1-3 [打印本页]

作者: 李老师 时间: 2012-12-8 22:46
标题: 东大12秋学期《数字电子技术基础Ⅰ》在线作业1-3
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12秋学期《数字电子技术基础Ⅰ》在线作业1

一,单选题

1. 寻址容量为16K×8的RAM需要______根地址线。
A. 4
B. 8
C. 14
D. 16
正确答案：C

2. 分半导体E2PROM，写人的内容，可以通过_____擦除。（）
A. 紫外线照射
B. 电信号
C. 口令
D. DOS命令
正确答案：B

3. 函数F =AB +BC，使F=1 的输入ABC组合为（）。
A. ABC = 000
B. ABC = 010
C. ABC = 101
D. ABC = 110
正确答案：D

4. 和动态MOS存储器比较，双极性半导体存储器的性能特点是（）
A. 集成度低，存取周期短
B. 集成度低，存取周期长
C. 集成度高,存取周期短
D. 集成度高，存取周期长
正确答案：A

5. 当内存储器系统中内存储器芯片较少时，其片选信号可以采用（）
A. 74SL138
B. 74LS245
C. 74LS244
D. 与门
正确答案：D

6. 若要设计一个脉冲序列为1101001110的序列脉冲发生器，应选用（）个触发器。
A. 2
B. 3
C. 4
D. 10
正确答案：C

7. 下列电路，具有脉冲幅度鉴别作用的电路是（）。
A. 单稳态触发器
B. 施密特触发器
C. 多谐振荡器
D. 双稳态振荡器
正确答案：B

8. 半导体存储器的主要技术指标不包括（）
A. 存储容量
B. 存储速度
C. 可靠性
D. 安全性
正确答案：D

9. 在下列触发器中，有约束条件的是( )
A. 主从JK  FF
B. 主从D  FF
C. 同步RS  FF
D. 边沿D  FF
正确答案：C

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